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中國科學(xué)院上海應(yīng)用物理研究所（簡稱上海應(yīng)物所）成立于1959年，原名中國科學(xué)院上海原子核研究所，2003年6月改為現(xiàn)名。擁有上海嘉定園區(qū)（約400畝）和甘肅武威園區(qū)（約1000畝）。上海應(yīng)物所是國立綜合性核科學(xué)技術(shù)研究機(jī)構(gòu)，以釷基熔鹽堆核能系統(tǒng)、高效能源存儲(chǔ)與轉(zhuǎn)換等先進(jìn)能源科學(xué)技術(shù)為主要研究方向，同時(shí)兼顧核技術(shù)在環(huán)境、健康、材料領(lǐng)域的若干前沿應(yīng)用研究，致力于熔鹽堆、釷鈾燃料循環(huán)、核能綜合利用等領(lǐng)域

近日，普仕曼科技成功與贛州兮泓永磁達(dá)成合作

在半導(dǎo)體制造設(shè)備中，光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備是三大主要的設(shè)備，根據(jù) SEMI 測算數(shù)據(jù)，光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備分別約占半導(dǎo)體設(shè)備市場的24%、20%和20%?？涛g是利用化學(xué)或物理方法有選擇地

在本文將簡要說明濕法蝕刻和干法蝕刻每種蝕刻技術(shù)的特點(diǎn)和區(qū)別。在半導(dǎo)體制造中，在處理基板或在基板上形成的薄膜的過程中，有一種稱為“蝕刻”的技術(shù)。蝕刻技術(shù)的發(fā)展對實(shí)現(xiàn)英特爾創(chuàng)始人戈登·摩爾在1965年提出

刻蝕技術(shù)總述在20世紀(jì)60年代后期，濕法刻蝕曾經(jīng)是低成本集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)。半導(dǎo)體工藝制程及芯片性能的不斷迭代不斷提升，隨著制程進(jìn)入六次微米級，基于化學(xué)反應(yīng)的濕法刻蝕，已經(jīng)跟不上芯片的精度要求了，

等離子體蝕刻可能是半導(dǎo)體制造中最重要的工藝，也可能是僅次于光刻的所有晶圓廠操作中最復(fù)雜的。幾乎一半的晶圓制造步驟都依賴于等離子體，一種高能電離氣體來完成它們的工作。盡管晶體管和存儲(chǔ)單元不斷縮小，工程師

CCP全稱是Capacitively Coupled Plasma，即電容耦合等離子。是一種廣泛用于芯片制造刻蝕的工藝，能夠以極高的精度和對材料的最小損傷來刻蝕晶圓材料。CCP工作原理：電容耦合等離子

在芯片制程中，幾乎所有的干法制程，如PVD，CVD,干法刻蝕等，都逃不過輝光放電現(xiàn)象。輝光放電，是一種在低壓下電離氣體的過程，它在半導(dǎo)體制程中的許多重要步驟中有著核心作用。那您知道什么是“啟輝”嗎？為

晶圓表面的親水性與疏水性，一個(gè)很容易被人忽視的細(xì)節(jié)，可能影響到整個(gè)芯片的性能。從制備光刻膠涂層，到清洗過程，再到某些薄膜的制備，晶圓表面的濕潤性影響著每一個(gè)關(guān)鍵步驟。今天將深入探討這兩種表面特性，解析

電子回旋共振（Electron Cyclotron Resonance，ECR）利用電磁波（通常是微波）在磁場中產(chǎn)生的電子回旋共振來產(chǎn)生等離子體，然后利用這個(gè)等離子體來對半導(dǎo)體材料進(jìn)行刻蝕。2.45G

干法刻蝕是一種使用氣體或等離子對材料進(jìn)行蝕刻的方法。它是微電子制造過程中的關(guān)鍵步驟之一，主要用于形成半導(dǎo)體芯片上的微細(xì)結(jié)構(gòu)。什么是等離子體？ 等離子體是物質(zhì)的第四種狀態(tài)，除了常見的三種狀態(tài)：固態(tài)、

大氣等離子清洗機(jī)和真空等離子清洗機(jī)都是常用的等離子表面清洗方法，它們之間存在著很大的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹這兩種清洗機(jī)的工作原理、優(yōu)缺點(diǎn)及適用范圍。1.工作原理大氣清洗機(jī)是一種通過噴射高速氣流清洗表面的