COB封裝

隨著智能手機(jī)的飛速發(fā)展，人們對(duì)手機(jī)攝像頭像素的要求越來越高，如今用傳統(tǒng)的CSP封裝工藝制造的手機(jī)攝像模組像素已達(dá)不到人們的需求，而用COB/COG/COF封裝工藝制造的手機(jī)攝像模組已被大量的運(yùn)用到了現(xiàn)在的千萬(wàn)像素的手機(jī)中，但其制造的良率因其工藝特性往往只有85%左右，而造成的手機(jī)良率不高的原因主要在于離心清洗機(jī)和超聲波清洗做不到高潔凈度的清洗holder及Pad表面污染物，致使holder與IR粘接力不高及bonding不良的問題，經(jīng)等離子體處理后能超潔凈的去除holder上的有機(jī)污染物和活化基材，使其與IR粘接力能提高2~3倍，也能去除Pad表面的氧化物并粗化表面，極大的提升了banding的一次成功率。

半導(dǎo)體硅片（Wafer)

在IC芯片制造領(lǐng)域中，等離子體處理技術(shù)已是一種不可替代的成熟工藝，不論在芯片源離子的注入，還是晶元的鍍膜，亦或是我們的低溫等離子體表面處理設(shè)備所能達(dá)到的：在晶元表面去除氧化膜、有機(jī)物、去掩膜等超凈化處理及表面活化提高晶元表面浸潤(rùn)性。

芯片粘接前處理

 芯片與封裝基板的粘接，往往是兩種不同性質(zhì)的材料，材料表面通常呈現(xiàn)為疏水性和惰性特征，其表面粘接性能較差，粘接過程中界面容易產(chǎn)生空隙，給密封封裝后的芯片帶來很大的隱患，對(duì)芯片與封裝基板的表面進(jìn)行等離子體處理能有效增加其表面活性，極大的改善粘接環(huán)氧樹脂在其表面的流動(dòng)性，提高芯片和封裝基板的粘結(jié)浸潤(rùn)性，減少芯片與基板的分層，改善熱傳導(dǎo)能力，提高IC封裝的可靠性、穩(wěn)定性，增加產(chǎn)品的壽命。

優(yōu)化引線鍵合（打線）

集成電路引線鍵合的質(zhì)量對(duì)微電子器件的可靠性有決定性影響，鍵合區(qū)必須無(wú)污染物并具有良好的鍵合特性。污染物的存在，如氧化物、有機(jī)殘?jiān)榷紩?huì)嚴(yán)重削弱引線鍵合的拉力值。傳統(tǒng)的濕法清洗對(duì)鍵合區(qū)的污染物去除不徹底或者不能去除，而采用等離子體清洗能有效去除鍵合區(qū)的表面沾污并使其表面活化，能明顯提高引線的鍵合拉力，極大的提高封裝器件的可靠性。